【テーマ】 ピエゾ抵抗式半導体圧力センサ
【受賞日】 2013年3月21日
「でんきの礎」は、電気技術の中でも歴史的に記念されるものを顕彰することにより、今後の電気技術の発展に寄与させることを目的に、電気学会が2008年に制定したものです。1964年に開発された「ピエゾ抵抗式半導体圧力センサ」は、2013年に第6回「でんきの礎」に選定されました。
ピエゾ抵抗式半導体圧力センサは、1964年に金属ダイヤフラムとゲルマニウム製半導体ゲージを接着して、世界で初めて当社で製作されました。
その後半導体プロセス技術と3次元微細構造を実現するマイクロマシニング技術との融合が図られ、1970年代に、現在広く使われているシリコンダイアフラムを有する立体構造に改良された圧力センサが開発され、製品化されました。
本圧力センサは現在広く普及している電気と機械分野を融合したMEMS(Micro Electro Mechanical Systems)技術の先駆けとなったものです。