SiCやGaNは、エネルギーバンドギャップや破壊電界強度が高いため次世代のパワーデバイス材料として注目を集めています。GaNパワーデバイスはSiCよりも、低損失、低コストが見込まれますが、電動車用途のような大電流を扱うことが困難でした。私たちは、p型GaN層の埋め込み技術を開発し、大電流を流せる縦型構造の実証に世界で初めて成功しました。
GaNパワーデバイスの実用化には、他にGaN基板の高品質化やゲート絶縁膜形成、イオン注入などのプロセス技術の確立が必要です。これらの課題を解決するため、産学連携を積極的に推進し、電動車の普及促進に貢献していきます。
試作した縦型GaNパワーデバイスの構造