第43回応用物理学会優秀論文賞

当社の研究者が、応用物理学会優秀論文賞を受賞しました。

対象論文：Room Temperature Photoluminescence Lifetime for the Near-band-edge Emission of Epitaxial and Ion-implanted GaN on GaN Structures
当社受賞者：井口 紘子、成田 哲生、片岡 恵太
共同受賞者所属：東北大学、富士電機、産業技術総合研究所、筑波大学

この賞は、応用物理学の研究において優れた業績をあげた者に対して授与されるものです。